Circuits intégrés à transistor simple IGBT Infineon, 20 A, 1.2 kV, 3 broches , PG-TO-247

Voir l’ensemble des IGBT
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 tube de 240 unités)*

385,92 €

HT

463,20 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard

Unité
Prix par unité
le tube*
240 - 2401,608 €385,92 €
480 +1,527 €366,48 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
244-2913
Référence fabricant:
IHW20N120R5XKSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

Circuits intégrés à transistor simple IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

20A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1.2kV

Dissipation de puissance maximum Pd

288W

Type de Boitier

PG-TO-247

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 %

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.55V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.21mm

Série

Resonant Switching

Largeur

16.13mm

Normes/homologations

IEC61249-2-21, RoHS

Longueur

42mm

Standard automobile

Non

Circuit intégré à transistor simple IGBT à commutation résonnante Infineon, tension d'émetteur de collecteur max. 1 200 V, courant de collecteur continu max. 20 A - IHW20N120R5XKSA1


Ce circuit intégré à transistor unique IGBT est un dispositif de commutation haute tension conçu pour la conversion et le contrôle de puissance dans les systèmes électriques exigeants. Il fonctionne sur une large plage de températures et est destiné aux applications nécessitant une manipulation de tension élevée et une capacité de courant continu importante. Le composant est fourni dans un boîtier PG-TO-247 et est conforme aux normes relatives aux matériaux et aux substances dangereuses spécifiées.

Caractéristiques et avantages :


• La résistance collecteur-émetteur de 1 200 V permet une commutation haute tension
• Le courant de collecteur continu de 20 A permet une alimentation soutenue
• Le Vce(sat) de 1,55 V réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement à l'état actif
• La dissipation de puissance maximale de 288 W permet une marge thermique élevée
• La valeur nominale de l'émetteur de grille ±20 V permet des amplitudes de commande de grille standard
• Fonctionne entre -40 °C et 175 °C pour une résistance aux températures étendues

Applications


• Convient aux topologies de commutation résonnante dans les convertisseurs de puissance
• Utilisé pour les rôles de transistor IGBT 1 200 V 20 A dans les onduleurs industriels
• Idéal pour les modules IGBT 288 W haute puissance dans les entraînements de moteur
• Peut être utilisé pour le remplacement des modules IGBT PG-TO-247 dans les assemblages
• Adapté aux environnements IGBT à haute température -40 à 175 °C

Quel emballage est fourni pour un montage direct sur carte ou un dissipateur thermique?


Il est fourni dans un boîtier PG-TO-247 adapté au montage traversant standard et au dissipateur thermique conventionnel.

Quelles sont les normes relatives aux matériaux et aux substances dangereuses auxquelles il est conforme?


Le dispositif est conforme à la directive RoHS et répond aux spécifications des matériaux CEI 61249-2-21.

Quelle limite électrique définit la sécurité de l'entraînement de grille?


La tension de l'émetteur de grille est limitée à ±20 V pour empêcher la contrainte de l'oxyde de grille.

Comment les concepteurs doivent-ils évaluer la capacité thermique pour un fonctionnement prolongé?


Utilisez la puissance nominale maximale de dissipation de 288 W pour les dissipateurs thermiques et le refroidissement pour les charges continues.

Quelles sont les températures extrêmes que l'appareil peut tolérer en fonctionnement?


Il fonctionne d'un minimum de -40 °C à un maximum de 175 °C pour les applications à température élevée.

Nos clients ont également consulté