Module IGBT, FS150R12KT3BOSA1, , 200 A, 1200 V
- Code commande RS:
- 244-5403
- Référence fabricant:
- FS150R12KT3BOSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 10 unités)*
1 740,78 €
HT
2 088,94 €
TTC
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- Expédition à partir du 24 décembre 2027
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 + | 174,078 € | 1 740,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-5403
- Référence fabricant:
- FS150R12KT3BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 200 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | +/-20V | |
| Nombre de transistors | 6 | |
| Dissipation de puissance maximum | 700 W | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 200 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum +/-20V | ||
Nombre de transistors 6 | ||
Dissipation de puissance maximum 700 W | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.
Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF