Module IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, , 303 A, 1000 V, Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

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Code commande RS:
245-6975
Référence fabricant:
NXH350N100H4Q2F2S1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

303 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1000 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

592 W

Nombre de transistors

4

Type de boîtier

Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

Module hybride Si/SiC - EliteSiC, NPC de type I 1 000 V, IGBT 350 A, diode SiC 1 200 V, 100 A, boîtier Q2 avec cosses à souder


on Semiconductor Le module de bloc NPC Q2 à trois

Tranchée extrêmement efficace avec technologie d'arrêt de champ
Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
La conception de module offre une haute densité de puissance
Disposition inductive faible
Hauteur de boîtier faible
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène, sans BFR et sont conformes à la directive RoHS

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