Références fabricant

Module IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, , 303 A, 1000 V, Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

Code commande RS:: 245-6976
Référence fabricant:: NXH350N100H4Q2F2S1G
Marque:: onsemi

Module IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, , 303 A, 1000 V, Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

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Code commande RS:: 245-6976
Référence fabricant:: NXH350N100H4Q2F2S1G
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum	303 A
	Tension Collecteur Emetteur maximum	1000 V
	Tension Grille Emetteur maximum	±20V
	Dissipation de puissance maximum	592 W
	Nombre de transistors	4
	Type de boîtier	Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Courant continu de Collecteur maximum 303 A
	Tension Collecteur Emetteur maximum 1000 V
	Tension Grille Emetteur maximum ±20V
	Dissipation de puissance maximum 592 W
	Nombre de transistors 4
	Type de boîtier Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

Datasheet - NXH350N100H4Q2F2S1G

Module hybride Si/SiC - EliteSiC, NPC de type I 1 000 V, IGBT 350 A, diode SiC 1 200 V, 100 A, boîtier Q2 avec cosses à souder

on Semiconductor Le module de bloc NPC Q2 à trois

Tranchée extrêmement efficace avec technologie d'arrêt de champ
Une faible perte de commutation réduit la dissipation de puissance du système
La conception de module offre une haute densité de puissance
Disposition inductive faible
Hauteur de boîtier faible
Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène, sans BFR et sont conformes à la directive RoHS

Module IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, , 303 A, 1000 V, Q2PACK (sans plomb/sans halogène)

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Module hybride Si/SiC - EliteSiC, NPC de type I 1 000 V, IGBT 350 A, diode SiC 1 200 V, 100 A, boîtier Q2 avec cosses à souder

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