IGBT Non Bourns, 60 A, 600 V, 3 broches, TO-247

Voir l’ensemble des IGBT

Sous-total 2 unités (conditionné en tube)*

5,32 €

HT

6,38 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 1 748 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
2 +2,66 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
253-3507P
Référence fabricant:
BIDW30N60T
Marque:
Bourns
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Bourns

Courant continu de Collecteur maximum lc

60A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

600V

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Type de Boitier

TO-247

Nombre de broches

3

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.9V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS 2015/863, 2015 and Annex, Mar 31

Série

BIDW30N60T

Standard automobile

Non

Le transistor bipolaire à grille isolé (IGBT) de la marque Bourns combine la technologie d'une porte MOS et d'un transistor bipolaire afin de vous proposer un composant idéal pour les applications haute tension et haute intensité. Ce transistor utilise la technologie Trench-Gate Field-Stop pour un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui se traduit par une tension de saturation de collecteur-émetteur (VCE(sat)) plus faible et moins de pertes de commutation. En outre, cette structure offre une résistance thermique R(th) plus faible.

600 V, 30 A, faible tension de saturation de l'émetteur-collecteur (VCE(sat))

Technologie Trench-Gate Field-Stop

Optimisé pour la conduction

Conforme à la directive RoHS

Nos clients ont également consulté