IGBT Infineon, canal N, 12 A, 600 V, 3 broches , TO-263, montage Traversant
- Code commande RS:
- 273-2966
- Référence fabricant:
- IKB06N60TATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 273-2966
- Référence fabricant:
- IKB06N60TATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 12A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 88W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2.05V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 9.45mm | |
| Hauteur | 4.57mm | |
| Largeur | 10.31mm | |
| Série | TrenchStop | |
| Normes/homologations | Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 12A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 88W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.05V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 9.45mm | ||
Hauteur 4.57mm | ||
Largeur 10.31mm | ||
Série TrenchStop | ||
Normes/homologations Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | ||
Standard automobile Non | ||
L'IGBT3 d'Infineon, compact avec une diode à roulement libre à pleine valeur nominale dans un boîtier TO263 D2Pak, amène à une amélioration significative des performances statiques ainsi que dynamiques du dispositif, grâce à la combinaison du concept de cellule de tranchée et de terrain. La combinaison de
Haute robustesse et comportement stable à la température
Distribution de paramètres très étroite
Fiabilité élevée de l'appareil
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