IGBT, ISL9V3040D3ST, , 21 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 807-8758
- Référence fabricant:
- ISL9V3040D3ST
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
14,03 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,806 € | 14,03 € |
| 50 - 95 | 2,42 € | 12,10 € |
| 100 - 495 | 2,098 € | 10,49 € |
| 500 - 995 | 1,844 € | 9,22 € |
| 1000 + | 1,678 € | 8,39 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 807-8758
- Référence fabricant:
- ISL9V3040D3ST
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 21 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 300 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±10V | |
| Dissipation de puissance maximum | 150 W | |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 21 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 300 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±10V | ||
Dissipation de puissance maximum 150 W | ||
Type de boîtier DPAK (TO-252) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.