IGBT, ISL9V3040D3ST, , 21 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 807-8758
- Référence fabricant:
- ISL9V3040D3ST
- Marque:
- onsemi
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1,532 €
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1,838 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,532 € | 7,66 € |
| 10 - 95 | 1,29 € | 6,45 € |
| 100 - 245 | 0,974 € | 4,87 € |
| 250 - 495 | 0,946 € | 4,73 € |
| 500 + | 0,844 € | 4,22 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 807-8758
- Référence fabricant:
- ISL9V3040D3ST
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- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 21 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 300 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±10V |
| Dissipation de puissance maximum | 150 W |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Vitesse de découpage | 1MHz |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
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