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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de produit	IGBT d'allumage
	Courant continu de Collecteur maximum lc	41A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	400V
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	1MHz
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.5V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±10 V
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Série	EcoSPARK2
	Energie	300mJ
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de produit IGBT d'allumage
	Courant continu de Collecteur maximum lc 41A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 400V
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 1MHz
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.5V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±10 V
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Série EcoSPARK2
	Energie 300mJ
	Standard automobile AEC-Q101

IGBT d'allumage automobile, Fairchild Semiconductor

Ces dispositifs IGBT EcoSPARK sont optimisés pour la commande des bobines d'allumage automobile. Ils ont été testés pour satisfaire aux contraintes et sont conformes à la norme AEC-Q101.

Caractéristiques

• Commande de grille de niveau logique

• Protection ESD

• Applications : circuits de commande de bobine d'allumage automobile, applications bobine sur fiche

Codes de produit RS

864-8802 : FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK;

864-8805 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2;

807-0767 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK;

864-8880 : FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK;

864-8899 : FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220;

864-8809 : FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2;

864-8827 : FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK;

807-0776 : FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK;

864-8818 : FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2;

864-8893 : FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220;

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220;

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK

Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Note

Les intensités nominales indiquées s'appliquent lors la température de jonction Tc = +110 °C.

Standards

AEC-Q101

1 405,00 €

0,562 €/unité

IGBT d'allumage onsemi, canal Type N, 41 A, 400 V, 1 MHz, 3 broches , TO-252, montage En surface

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €