IGBT d'allumage onsemi, canal Type N, 41 A, 400 V, 1 MHz, 3 broches , TO-252, montage En surface
- Code commande RS:
- 807-0767
- Référence fabricant:
- FGD3040G2-F085
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 807-0767
- Référence fabricant:
- FGD3040G2-F085
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | IGBT d'allumage | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 41A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 400V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.5V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±10 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | EcoSPARK2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Energie | 300mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit IGBT d'allumage | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 41A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 400V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.5V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±10 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série EcoSPARK2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Energie 300mJ | ||
IGBT d'allumage automobile, Fairchild Semiconductor
Ces dispositifs IGBT EcoSPARK sont optimisés pour la commande des bobines d'allumage automobile. Ils ont été testés pour satisfaire aux contraintes et sont conformes à la norme AEC-Q101.
Caractéristiques
• Commande de grille de niveau logique
• Protection ESD
• Applications : circuits de commande de bobine d'allumage automobile, applications bobine sur fiche
Codes de produit RS
864-8802 : FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK;
864-8805 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2;
807-0767 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK;
864-8880 : FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK;
864-8899 : FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220;
864-8809 : FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2;
864-8827 : FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK;
807-0776 : FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK;
864-8818 : FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2;
864-8893 : FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220;
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220;
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Note
Les intensités nominales indiquées s'appliquent lors la température de jonction Tc = +110 °C.
Standards
AEC-Q101
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