IGBT d'allumage AEC-Q101 onsemiCanal-Type N, 41 A, 400 V 1 MHz, 3 broches, TO-252 Surface

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807-0767
Référence fabricant:
FGD3040G2-F085
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT d'allumage

Courant continu de Collecteur maximum lc

41A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

400V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.5V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±10 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

EcoSPARK2

Normes/homologations

RoHS

Energie

300mJ

Standard automobile

AEC-Q101

IGBT d'allumage automobile, Fairchild Semiconductor


Ces dispositifs IGBT EcoSPARK sont optimisés pour la commande des bobines d'allumage automobile. Ils ont été testés pour satisfaire aux contraintes et sont conformes à la norme AEC-Q101.

Caractéristiques


• Commande de grille de niveau logique

• Protection ESD

• Applications : circuits de commande de bobine d'allumage automobile, applications bobine sur fiche

Codes de produit RS


864-8802 : FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK;

864-8805 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2;

807-0767 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK;

864-8880 : FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK;

864-8899 : FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220;

864-8809 : FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2;

864-8827 : FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK;

807-0776 : FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK;

864-8818 : FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2;

864-8893 : FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220;

807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220;

862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK

Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Note

Les intensités nominales indiquées s'appliquent lors la température de jonction Tc = +110 °C.

Standards

AEC-Q101

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