IGBT, FGD3440G2-F085, , 26,9 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 807-0776
- Référence fabricant:
- FGD3440G2-F085
- Marque:
- ON Semiconductor
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- Code commande RS:
- 807-0776
- Référence fabricant:
- FGD3440G2-F085
- Marque:
- ON Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ON Semiconductor | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 26,9 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 300 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±10V | |
| Dissipation de puissance maximum | 166 W | |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ON Semiconductor | ||
Courant continu de Collecteur maximum 26,9 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 300 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±10V | ||
Dissipation de puissance maximum 166 W | ||
Type de boîtier DPAK (TO-252) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
IGBT d'allumage automobile, Fairchild Semiconductor
Ces dispositifs IGBT EcoSPARK sont optimisés pour la commande des bobines d'allumage automobile. Ils ont été testés pour satisfaire aux contraintes et sont conformes à la norme AEC-Q101.
Caractéristiques
Commande de grille de niveau logique
Protection ESD
Applications : circuits de commande de bobine d'allumage automobile, applications bobine sur fiche
Protection ESD
Applications : circuits de commande de bobine d'allumage automobile, applications bobine sur fiche
Codes de produit RS
864-8802 : FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK
864-8805 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2
807-0767 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8880 : FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK
864-8899 : FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220
864-8809 : FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2
864-8827 : FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK
807-0776 : FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK
864-8818 : FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2
864-8893 : FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Note
Les intensités nominales indiquées s'appliquent lors la température de jonction Tc = +110 °C.
Normes
AEC-Q101
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

