IGBT, FGD3440G2-F085, , 26,9 A, 300 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple

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Proposition de remplacement

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l'unité (par multiple de 5)

1,546 €

HT

1,855 €

TTC

Code commande RS:
807-0776
Référence fabricant:
FGD3440G2-F085
Marque:
ON Semiconductor
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Marque

ON Semiconductor

Courant continu de Collecteur maximum

26,9 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

300 V

Tension Grille Emetteur maximum

±10V

Dissipation de puissance maximum

166 W

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Standard automobile

AEC-Q100

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

IGBT d'allumage automobile, Fairchild Semiconductor


Ces dispositifs IGBT EcoSPARK sont optimisés pour la commande des bobines d'allumage automobile. Ils ont été testés pour satisfaire aux contraintes et sont conformes à la norme AEC-Q101.

Caractéristiques


• Commande de grille de niveau logique
• Protection ESD
• Applications : circuits de commande de bobine d'allumage automobile, applications bobine sur fiche

Codes de produit RS



864-8802 : FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK


864-8805 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2


807-0767 : FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK


864-8880 : FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK


864-8899 : FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220


864-8809 : FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2


864-8827 : FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK


807-0776 : FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK


864-8818 : FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2


864-8893 : FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220


807-8751 ISL9V5036P3_F085 360 V 31 A TO220


862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK

Note

Les intensités nominales indiquées s'appliquent lors la température de jonction Tc = +110 °C.

Normes

AEC-Q101


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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