MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 30 A 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 110-7435
- Référence fabricant:
- IPD220N06L3GBTMA1
- Marque:
- Infineon
Informations sur le stock actuellement non accessibles
- Code commande RS:
- 110-7435
- Référence fabricant:
- IPD220N06L3GBTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum | 30 A | |
| Tension Drain Source maximum | 60 V | |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) | |
| Série | OptiMOS™ 3 | |
| Type de montage | CMS | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum | 39,8 mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2.2V | |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum | 36 W | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Matériau du transistor | Si | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Charge de Grille type @ Vgs | 7 nC @ 4,5 V | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Tension directe de la diode | 1.2V | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum 30 A | ||
Tension Drain Source maximum 60 V | ||
Type de boîtier DPAK (TO-252) | ||
Série OptiMOS™ 3 | ||
Type de montage CMS | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum 39,8 mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension de seuil maximale de la grille 2.2V | ||
Tension de seuil minimale de la grille 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum 36 W | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Longueur 6.73mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Matériau du transistor Si | ||
Largeur 6.22mm | ||
Charge de Grille type @ Vgs 7 nC @ 4,5 V | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Tension directe de la diode 1.2V | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Statut RoHS non applicable