MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 50 A 30 V, 3 broches

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Code commande RS:
857-4590
Référence fabricant:
IPD50N03S4L06ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

50 A

Tension Drain Source maximum

30 V

Série

OptiMOS™ -T2

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

5, 5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.2V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

56 W

Configuration du transistor

Simple

Tension Grille Source maximum

-16 V, +16 V

Largeur

6.22mm

Charge de Grille type @ Vgs

24 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

2.41mm

Statut RoHS : Exempté

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