MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 30 A 30 V, 3 broches

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Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 195,00 €

HT

1 435,00 €

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Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 - 25000,478 €1 195,00 €
5000 - 100000,466 €1 165,00 €
12500 +0,454 €1 135,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
857-4587
Référence fabricant:
IPD30N03S2L10ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

30 A

Tension Drain Source maximum

30 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Série

OptiMOS™

Type de montage

CMS

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

10 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2V

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

100 W

Configuration du transistor

Simple

Tension Grille Source maximum

-20 V, +20 V

Longueur

6.73mm

Charge de Grille type @ Vgs

31 nC @ 10 V

Largeur

6.22mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

2.41mm

Statut RoHS : Exempté

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