MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 30 A 55 V, 3 broches

Code commande RS:: 826-9115
Référence fabricant:: IPD30N06S2L23ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 30 A 55 V, 3 broches

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Prix pour l'unité (par multiple de 25)

1,034 €

1,241 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
25 - 100	1,034 €	25,85 €
125 - 225	0,951 €	23,775 €
250 - 600	0,894 €	22,35 €
625 - 1225	0,823 €	20,575 €
1250 +	0,758 €	18,95 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 826-9115
Référence fabricant:: IPD30N06S2L23ATMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

IPD30N06S2L-23, OptiMOS Power-Transistor

Législation et Conformité

Détail produit

Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™ d'Infineon

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Canal N - Mode d'enrichissement
Certifié AEC-Q101 automobile
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Boîtier vert (sans plomb)
Très faible RDS(on)

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	30 A
Tension Drain Source maximum	55 V
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Série	OptiMOS
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	30 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2V
Tension de seuil minimale de la grille	1.2V
Dissipation de puissance maximum	100 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	6.22mm
Charge de Grille type @ Vgs	33 nC @ 10 V
Longueur	6.5mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	2.3mm