IGBT Non onsemiCanal-Type N, 10 A, 430 V, 3 broches, TO-252 Surface
- Code commande RS:
- 166-3807
- Référence fabricant:
- ISL9V2040D3ST
- Marque:
- onsemi
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- 166-3807
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- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 10A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 430V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 130W | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.9V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±10 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | EcoSPARK | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Energie | 200mJ | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 10A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 430V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 130W | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±10 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série EcoSPARK | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Energie 200mJ | ||
Standard automobile Non | ||
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.