IGBT Non onsemiCanal-Type N, 10 A, 430 V, 3 broches, TO-252 Surface
- Code commande RS:
- 862-9347
- Référence fabricant:
- ISL9V2040D3ST
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
9,12 €
HT
10,945 €
TTC
Ajouter 30 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En voie de retrait du marché
- 2 145 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,824 € | 9,12 € |
| 10 - 95 | 1,774 € | 8,87 € |
| 100 - 245 | 1,732 € | 8,66 € |
| 250 - 495 | 1,684 € | 8,42 € |
| 500 + | 1,648 € | 8,24 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 862-9347
- Référence fabricant:
- ISL9V2040D3ST
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 10A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 430V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 130W | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.9V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±10 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | EcoSPARK | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 200mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 10A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 430V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 130W | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.9V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±10 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série EcoSPARK | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 200mJ | ||
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.