AEC-Q100 Sextuple Inverseur hexagonal Mémoire tampon, inverseur, MC14049UBDG, SOIC 16 broches

La mémoire tampon d'inverseur hexagonale MC14049UB est fabriquée avec des dispositifs à canal MOS P et à mode d'amélioration de canal N dans une structure monolithique unique. Ce dispositif MOS complémentaire détecte une utilisation immédiate lorsque une faible dissipation de puissance et une immunité au bruit élevée sont souhaitées. Ce dispositif fournit une conversion de niveau logique à l'aide d'une seule tension d'alimentation VDD. Le signal d'entrée de niveau élevé VIH peut dépasser la tension d'alimentation VDD pour les conversions de niveau logique. Deux charges TTL DTL peuvent être pilotées lorsque le dispositif est utilisé comme convertisseurs TTL CMOS vers TTL VDD = 5 V, VOL 0,4 V IOL 3,2 mA. Il est à noter que les broches 13 et 16 ne sont pas connectées en interne sur ce dispositif, par conséquent, les connexions à ces bornes n'affectent pas le fonctionnement du circuit.

Courants de source et de dissipateur élevés
Convertisseur de haut à bas niveau
Plage de tension d'alimentation = 3 à 18 V.
Le VIN peut dépasser VDD
Protection ESD améliorée sur toutes les entrées
Boîtiers sans plomb disponibles