JFET, 2SK3557-6-TB-E, Canal-N, 15 V Simple CP, 3 broches Simple
- Code commande RS:
- 163-2020
- Référence fabricant:
- 2SK3557-6-TB-E
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
411,00 €
HT
492,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,137 € | 411,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 163-2020
- Référence fabricant:
- 2SK3557-6-TB-E
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Idss Drain-source Courant de coupure | 10 to 20mA | |
| Tension Drain Source maximum | 15 V | |
| Tension Drain Grille maximum | -15V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | CP | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Capacitance Drain Grille | 10pF | |
| Capacitance Source Grille ON | 2.9pF | |
| Dimensions | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Largeur | 1.5mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Idss Drain-source Courant de coupure 10 to 20mA | ||
Tension Drain Source maximum 15 V | ||
Tension Drain Grille maximum -15V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier CP | ||
Nombre de broches 3 | ||
Capacitance Drain Grille 10pF | ||
Capacitance Source Grille ON 2.9pF | ||
Dimensions 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Largeur 1.5mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).