JFET onsemiCanal-N, Canal-JFET, 15 V Simple 10 to 20 mA, 3 broches CP
- Code commande RS:
- 163-2020
- Référence fabricant:
- 2SK3557-6-TB-E
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
453,00 €
HT
543,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,151 € | 453,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 163-2020
- Référence fabricant:
- 2SK3557-6-TB-E
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Sous type | JFET | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | JFET | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 15V | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | CP | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -15V | |
| Courant de source du drain Ids | 10 to 20 mA | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.5mm | |
| Série | 2SK3557 | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Sous type JFET | ||
Type de canal N | ||
Type de produit JFET | ||
Tension Drain Source maximum Vds 15V | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier CP | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -15V | ||
Courant de source du drain Ids 10 to 20 mA | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.5mm | ||
Série 2SK3557 | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).
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