JFET onsemiCanal-Type N, Canal-JFET, Simple 20 mA, 3 broches TO-92
- Code commande RS:
- 806-1753
- Référence fabricant:
- J111
- Marque:
- onsemi
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|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,242 € | 12,10 € |
| 500 - 950 | 0,209 € | 10,45 € |
| 1000 + | 0,181 € | 9,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 806-1753
- Référence fabricant:
- J111
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | JFET | |
| Sous type | JFET | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350mW | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 30Ω | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Courant de source du drain Ids | 20 mA | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit JFET | ||
Sous type JFET | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350mW | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 30Ω | ||
Nombre de broches 3 | ||
Courant de source du drain Ids 20 mA | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Longueur 5.2mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
On Semiconductor J111 est un transistor de chopper JFET conçu pour les applications de commutation analogique et de chopper. La source et le drain sont interchangeables.
Le transistor J111 est fourni dans un boîtier traversant à 3 broches TO-92.
Versions disponibles :
806-1753 - lot de 50
166-2910 - sac de 10 000
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).
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