JFET, MMBFJ176, Canal-P, 15 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
- Code commande RS:
- 806-4314
- Référence fabricant:
- MMBFJ176
- Marque:
- onsemi
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Sous-total (1 ruban de 50 unités)*
14,20 €
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,284 € | 14,20 € |
| 500 - 950 | 0,245 € | 12,25 € |
| 1000 + | 0,212 € | 10,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 806-4314
- Référence fabricant:
- MMBFJ176
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | P | |
| Idss Drain-source Courant de coupure | -2 to -25mA | |
| Tension Drain Source maximum | 15 V | |
| Tension Grille Source maximum | +30 V | |
| Tension Drain Grille maximum | -30V | |
| Configuration | Simple | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Résistance Drain Source maximum | 250 Ω | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dimensions | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | |
| Longueur | 2.92mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Hauteur | 0.93mm | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal P | ||
Idss Drain-source Courant de coupure -2 to -25mA | ||
Tension Drain Source maximum 15 V | ||
Tension Grille Source maximum +30 V | ||
Tension Drain Grille maximum -30V | ||
Configuration Simple | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Résistance Drain Source maximum 250 Ω | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dimensions 2.92 x 1.3 x 0.93mm | ||
Longueur 2.92mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Hauteur 0.93mm | ||
Largeur 1.3mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Transistor JFET canal P, Fairchild Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).