JFET onsemiCanal-Type N, Canal-JFET, 25 V Simple 24 to 60 mA, 3 broches SOT-23
- Code commande RS:
- 122-0136
- Référence fabricant:
- MMBFJ310LT3G
- Marque:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*
640,00 €
HT
770,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,064 € | 640,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 122-0136
- Référence fabricant:
- MMBFJ310LT3G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | JFET | |
| Sous type | JFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Courant de source du drain Ids | 24 to 60 mA | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 225mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.01mm | |
| Largeur | 1.4 mm | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit JFET | ||
Sous type JFET | ||
Type de canal Type N | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Nombre de broches 3 | ||
Courant de source du drain Ids 24 to 60 mA | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 225mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.01mm | ||
Largeur 1.4 mm | ||
Longueur 3.04mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).