JFET onsemiCanal-N, Canal-JFET, 400 mV Simple 8 → 80 mA, 3 broches SOT-23
- Code commande RS:
- 807-5201
- Référence fabricant:
- BSR58
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,14 € | 14,00 € |
| 500 - 900 | 0,12 € | 12,00 € |
| 1000 + | 0,104 € | 10,40 € |
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- Code commande RS:
- 807-5201
- Référence fabricant:
- BSR58
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Sous type | JFET | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | JFET | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 400mV | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -40V | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Courant de source du drain Ids | 8 → 80 mA | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Série | BSR58 | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 970μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Sous type JFET | ||
Type de canal N | ||
Type de produit JFET | ||
Tension Drain Source maximum Vds 400mV | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -40V | ||
Nombre de broches 3 | ||
Courant de source du drain Ids 8 → 80 mA | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Série BSR58 | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.3mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 970μm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).
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