JFET, MMBFJ201, Canal-N, Simple SOT-23, 3 broches Simple
- Code commande RS:
- 761-3688
- Référence fabricant:
- MMBFJ201
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,243 € | 6,08 € |
| 100 - 225 | 0,21 € | 5,25 € |
| 250 - 475 | 0,182 € | 4,55 € |
| 500 - 975 | 0,16 € | 4,00 € |
| 1000 + | 0,146 € | 3,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 761-3688
- Référence fabricant:
- MMBFJ201
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Idss Drain-source Courant de coupure | 0.3 to 1.5mA | |
| Tension Grille Source maximum | -40 V | |
| Tension Drain Grille maximum | 40V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dimensions | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Longueur | 2.92mm | |
| Hauteur | 0.93mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Idss Drain-source Courant de coupure 0.3 to 1.5mA | ||
Tension Grille Source maximum -40 V | ||
Tension Drain Grille maximum 40V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dimensions 2.92 x 1.3 x 0.93mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Largeur 1.3mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Longueur 2.92mm | ||
Hauteur 0.93mm | ||
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
On Semiconductor MMBFJ201 est un amplificateur à canal N conçu pour les applications audio de bas niveau et à usage général.
Le MMBFJ201 est fourni dans un boîtier SOT-23 à 3 broches.
Le MMBFJ201 est fourni dans un boîtier SOT-23 à 3 broches.
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).