JFET, MMBF4391LT1G, Canal-N, 30 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
- Code commande RS:
- 625-5723
- Référence fabricant:
- MMBF4391LT1G
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,446 € | 2,23 € |
| 50 - 95 | 0,384 € | 1,92 € |
| 100 - 495 | 0,334 € | 1,67 € |
| 500 - 995 | 0,292 € | 1,46 € |
| 1000 + | 0,266 € | 1,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 625-5723
- Référence fabricant:
- MMBF4391LT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Idss Drain-source Courant de coupure | 50 to 150mA | |
| Tension Drain Source maximum | 30 V | |
| Tension Grille Source maximum | +30 V | |
| Tension Drain Grille maximum | 30V | |
| Configuration | Simple | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Résistance Drain Source maximum | 30 Ω | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de boîtier | SOT-23 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Dimensions | 2.9 x 1.3 x 0.94mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Hauteur | 0.94mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Idss Drain-source Courant de coupure 50 to 150mA | ||
Tension Drain Source maximum 30 V | ||
Tension Grille Source maximum +30 V | ||
Tension Drain Grille maximum 30V | ||
Configuration Simple | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Résistance Drain Source maximum 30 Ω | ||
Type de montage CMS | ||
Type de boîtier SOT-23 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Dimensions 2.9 x 1.3 x 0.94mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Hauteur 0.94mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Largeur 1.3mm | ||
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).