JFET onsemiCanal-Type N, Canal-JFET, Simple 5 mA, 3 broches TO-92
- Code commande RS:
- 806-1757
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-658
- Référence fabricant:
- J112
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,339 € | 16,95 € |
| 500 + | 0,292 € | 14,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 806-1757
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-658
- Référence fabricant:
- J112
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | JFET | |
| Sous type | JFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Configuration | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 350mW | |
| Courant de source du drain Ids | 5 mA | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50Ω | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -35 V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Largeur | 4.19 mm | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit JFET | ||
Sous type JFET | ||
Type de canal Type N | ||
Configuration Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 350mW | ||
Courant de source du drain Ids 5 mA | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50Ω | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -35 V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5.2mm | ||
Largeur 4.19 mm | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).