JFET, J112, Canal-N, Simple TO-92, 3 broches Simple
- Code commande RS:
- 124-1385
- Référence fabricant:
- J112
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
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147,00 €
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176,00 €
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Unité | Prix par unité | Le Sachet* |
|---|---|---|
| 1000 - 2000 | 0,147 € | 147,00 € |
| 3000 + | 0,124 € | 124,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-1385
- Référence fabricant:
- J112
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Idss Drain-source Courant de coupure | min. 5mA | |
| Tension Grille Source maximum | -35 V | |
| Tension Drain Grille maximum | 35V | |
| Configuration | Simple | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Résistance Drain Source maximum | 50 Ω | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de boîtier | TO-92 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Capacitance Drain Grille | 28pF | |
| Capacitance Source Grille ON | 28pF | |
| Dimensions | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Largeur | 4.19mm | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Idss Drain-source Courant de coupure min. 5mA | ||
Tension Grille Source maximum -35 V | ||
Tension Drain Grille maximum 35V | ||
Configuration Simple | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Résistance Drain Source maximum 50 Ω | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de boîtier TO-92 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Capacitance Drain Grille 28pF | ||
Capacitance Source Grille ON 28pF | ||
Dimensions 5.2 x 4.19 x 5.33mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Largeur 4.19mm | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Longueur 5.2mm | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).