- Code commande RS:
- 188-2794
- Référence fabricant:
- W29N01HVBINF
- Marque:
- Winbond
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- Code commande RS:
- 188-2794
- Référence fabricant:
- W29N01HVBINF
- Marque:
- Winbond
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Densité : 1 Gbit (solution à puce unique)
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 1 Go/128 Mo
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Copie arrière
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ. 3 V),
Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3V),
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 48 billes
VFBGA 63 billes
Vcc : 2,7 à 3,6 V.
Largeur du bus : x8
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 1 Go/128 Mo
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Jeu de commandes NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Copie arrière
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 25 mA (typ. 3 V),
Programmation/effacement : 25 mA (typ. 3V),
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 48 billes
VFBGA 63 billes
Mémoire Flash NAND SLC 1 Gb avec taille de page 2 ko + 64 B.
Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 1Gbit |
Type d'interface | Parallèle |
Type de boîtier | VFBGA |
Nombre de broches | 63 |
Configuration | 128M x 8 bits |
Type de montage | CMS |
Type de cellule | NAND SLC |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2,7 V |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V |
Organisation des blocs | Symétrique |
Longueur | 11.1mm |
Hauteur | 0.6mm |
Largeur | 9.1mm |
Dimensions | 11.1 x 9.1 x 0.6mm |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Nombre de bits par mot | 8bit |
Temps d'accès aléatoire maximum | 25µs |
Nombre de mots | 128M |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Série | W29N |
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