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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Taille de la mémoire	1024Mo
	Type de produit	Mémoire flash
	Type d'interface	CFI
	Type de Boitier	TSOP
	Nombre de broches	56
	Configuration	128M x 8 bits
	Type de montage	En surface
	Type de cellule	NOR
	Tension d'alimentation minimum	2.7V
	Tension d'alimentation maximum	3.6V
	Type de timing	Asynchrone
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Température d'utilisation maximum	85°C
	Hauteur	1.05mm
	Longueur	14.1mm
	Largeur	14.1mm
	Normes/homologations	No
	Nombre de bits par mot	8
	Nombre de mots	128M
	Temps d'accès aléatoire maximum	110ns
	Courant d'alimentation	60mA
	Série	S29GL01GS
	Standard automobile	AEC-Q100

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Taille de la mémoire 1024Mo
	Type de produit Mémoire flash
	Type d'interface CFI
	Type de Boitier TSOP
	Nombre de broches 56
	Configuration 128M x 8 bits
	Type de montage En surface
	Type de cellule NOR
	Tension d'alimentation minimum 2.7V
	Tension d'alimentation maximum 3.6V
	Type de timing Asynchrone
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Température d'utilisation maximum 85°C
	Hauteur 1.05mm
	Longueur 14.1mm
	Largeur 14.1mm
	Normes/homologations No
	Nombre de bits par mot 8
	Nombre de mots 128M
	Temps d'accès aléatoire maximum 110ns
	Courant d'alimentation 60mA
	Série S29GL01GS
	Standard automobile AEC-Q100

Cœur CMOS 3 V avec E/S polyvalentes

Technologie Eclipse à orbite miroir 65 nm

Alimentation simple (VCC) pour lecture/programmation/effacement (2,7 à 3,6 V)

Fonction d'E/S polyvalente

Large plage de tension d'E/S (VIO) : 1,65 V à Vcc

Bus de données x16

Lecture de page 32 octets asynchrone

Mémoire tampon de programmation de 512 octets

Programmation par multiples de page, jusqu'à un maximum de 512 octets

Un mot et plusieurs programmes sur les mêmes options de mot

Vérification et correction automatiques des erreurs (ECC)

ECC matériel interne avec correction d'erreur d'un bit

Effacement de secteur

Secteurs uniformes de 128 ko

Commandes de suspension et de reprise pour les opérations de programmation et d'effacement

Méthodes de registre d'état, d'interrogation de données et de broche prête/occupée pour déterminer l'état du dispositif

Protection Advanced Sector (ASP)

Méthodes de protection volatiles et non volatiles pour chaque secteur

Réseau séparé de 1 024 octets à programme unique (OTP) avec deux régions verrouillables

Table de paramètres d'interface Flash commune (CFI)

Plage de température/classe

Industriel (-40 à +85 °C)

Industrial Plus (-40 à +105 °C)

100 000 cycles de programmation/effacement

Conservation des données de 20 ans

Options d'emballage

TSOP 56 broches

BGA Fortifié LAA 64 billes, 13 mm x 11 mm

BGA rectifié LAE 64 billes, 9 mm x 9 mm

BGA 56 billes rectifié VBU, 9 mm x 7 mm

1 041,768 €

11,448 €/unité

Mémoire flash, CFI NOR, 1024 Mo Infineon 110 ns, 56 broches, TSOP

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