Flash FL-S, SPI NOR, 256 Mo Infineon, 16 broches, WSON
- Code commande RS:
- 273-5389
- Référence fabricant:
- S25FL256SAGMFI003
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1450 unités)*
4 767,60 €
HT
5 721,70 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1450 + | 3,288 € | 4 767,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5389
- Référence fabricant:
- S25FL256SAGMFI003
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 256Mo | |
| Type de produit | Flash FL-S | |
| Type d'interface | SPI | |
| Type de Boitier | WSON | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Configuration | 32 Mo | |
| Fréquence d'horloge maximum | 133MHz | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Courant d'alimentation | 100mA | |
| Série | S25FL | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 256Mo | ||
Type de produit Flash FL-S | ||
Type d'interface SPI | ||
Type de Boitier WSON | ||
Nombre de broches 16 | ||
Configuration 32 Mo | ||
Fréquence d'horloge maximum 133MHz | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
Courant d'alimentation 100mA | ||
Série S25FL | ||
- Pays d'origine :
- US
La mémoire Flash d'Infineon offre une haute densité couplée à la flexibilité et aux performances rapides requises par une grande variété d'applications intégrées. Il est idéal pour l'ombrage de code, XIP et le stockage de données. L'exécution de code directement à partir de la mémoire flash est souvent appelée « execute in place ». En utilisant des dispositifs FL S aux vitesses d'horloge plus élevées prises en charge, avec la commande QIO, la vitesse de transfert de lecture d'instructions peut correspondre ou dépasser l'interface parallèle traditionnelle, les mémoires flash asynchrones NOR tout en réduisant considérablement le nombre de signaux.
Protection secteur avancée
20 ans minimum de conservation des données
Noyau CMOS 3 V avec E/S polyvalent
Options de commande de matériel et de logiciel
Minimum de 100 000 cycles d'effacement de programme