Mémoire flash, SPI NOR, 512 Mo Infineon, 16 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 273-7511
- Référence fabricant:
- S25FL512SAGMFIR11
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 4,68 € |
| 5 - 9 | 4,55 € |
| 10 - 24 | 4,44 € |
| 25 - 99 | 4,32 € |
| 100 + | 4,21 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-7511
- Référence fabricant:
- S25FL512SAGMFIR11
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 512Mo | |
| Type de produit | Mémoire flash | |
| Type d'interface | SPI | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 133MHz | |
| Type de cellule | NOR | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q100 classe 1 | |
| Série | S25FL-S | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 512Mo | ||
Type de produit Mémoire flash | ||
Type d'interface SPI | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 16 | ||
Fréquence d'horloge maximum 133MHz | ||
Type de cellule NOR | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q100 classe 1 | ||
Série S25FL-S | ||
La mémoire Flash d'Infineon offre des densités élevées couplées à la flexibilité et aux performances rapides requises par une grande variété d'applications intégrées. Il est idéal pour l'ombrage de code, XIP et le stockage de données. L'exécution de code directement à partir de la mémoire Flash est souvent appelée « Execute in Place » ou XIP. En utilisant des dispositifs FL-S aux vitesses d'horloge plus élevées prises en charge, avec les commandes QIO ou DDR QIO, la vitesse de transfert de lecture d'instructions peut correspondre ou dépasser l'interface parallèle traditionnelle, les mémoires flash asynchrones NOR tout en réduisant considérablement le nombre de signaux.
SPI avec plusieurs E/S
Protection secteur avancée
Tampon de programmation de page de 512 octets
Noyau CMOS 3,0 V avec E/S polyvalente
20 ans minimum de conservation des données
Minimum de 100 000 cycles d'effacement de programme