FRAM AEC-Q100, Série I2C (2 fils) Infineon, 4 ko, 512 x 8 bits 3000 ns 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 188-5395
- Référence fabricant:
- FM24C04B-G
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 188-5395
- Référence fabricant:
- FM24C04B-G
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 4ko | |
| Type de produit | FRAM | |
| Configuration | 512 x 8 bits | |
| Type d'interface | Série I2C (2 fils) | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 3000ns | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Largeur | 3.98mm | |
| Longueur | 4.97mm | |
| Hauteur | 1.48mm | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Nombre de mots | 512 | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Standard automobile | AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 4ko | ||
Type de produit FRAM | ||
Configuration 512 x 8 bits | ||
Type d'interface Série I2C (2 fils) | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 3000ns | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Largeur 3.98mm | ||
Longueur 4.97mm | ||
Hauteur 1.48mm | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Nombre de mots 512 | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Standard automobile AEC-Q100 | ||
- Pays d'origine :
- US
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire à accès aléatoire ferroélectrique (F-RAM) est économe en énergie et offre la plus grande fiabilité parmi les RAM non volatiles pour les interfaces série et parallèles. Les pièces avec suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire RAM ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriture rapide
Endurance élevée
Faible consommation électrique
FRAM (RAM ferroélectrique)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker des données. Possédant des caractéristiques de périphériques ROM et RAM, la F-RAM est dotée d'un accès à grande vitesse, d'une grande endurance en mode d'écriture, d'une faible consommation d'énergie, d'une non-volatilité et d'une excellente résistance aux manipulations. Il s'agit donc d'une mémoire idéale pour une utilisation dans les cartes à puce qui nécessitent une haute sécurité et une faible consommation d'énergie, ainsi que les téléphones cellulaires et autres appareils.
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