- Code commande RS:
- 188-5403
- Référence fabricant:
- FM24V02A-G
- Marque:
- Infineon
En stock à partir du 16/05/2025, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (en tube de 97)
6,012 €
HT
7,214 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
97 - 97 | 6,012 € | 583,164 € |
194 - 194 | 5,489 € | 532,433 € |
291 - 485 | 5,374 € | 521,278 € |
582 - 970 | 5,212 € | 505,564 € |
1067 + | 5,08 € | 492,76 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 188-5403
- Référence fabricant:
- FM24V02A-G
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- US
Détail produit
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
Mémoire d'accès aléatoire ferroélectrique 256 kbits (F-RAM organisée de façon logique en 32 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans (voir le tableau de conservation des données d'endurance)
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface série rapide à deux fils (I2C)
Fréquence jusqu'à 3,4 MHz[1]
Remplacement matériel direct pour EEPROM série
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 175 μA à 100 kHz
Courant de veille de 150 μA
Courant en mode veille de 8 μA
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans (voir le tableau de conservation des données d'endurance)
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface série rapide à deux fils (I2C)
Fréquence jusqu'à 3,4 MHz[1]
Remplacement matériel direct pour EEPROM série
Prend en charge les temps existants pour 100 kHz et 400 kHz
ID du dispositif
ID du fabricant et ID du produit
Faible consommation électrique
Courant actif de 175 μA à 100 kHz
Courant de veille de 150 μA
Courant en mode veille de 8 μA
Fonctionnement basse tension : VDD = 2 à 3,6 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
FRAM (RAM ferroélectrique)
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Taille mémoire | 256Kbit |
Configuration | 32K x 8 bits |
Type d'interface | I2C |
Largeur de bus de données | 8bit |
Temps d'accès aléatoire maximum | 450ns |
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | SOIC |
Nombre de broches | 8 |
Dimensions | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
Longueur | 4.97mm |
Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 3,6 V |
Largeur | 3.98mm |
Hauteur | 1.48mm |
Température d'utilisation maximum | +85 °C |
Nombre de bits par mot | 8bit |
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 2 V |
Nombre de mots | 32k |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |