FRAM Non, Série SPI Infineon, 256 kB, 32k x 8 bit 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC
- Code commande RS:
- 273-5332
- Référence fabricant:
- FM25W256-GTR
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 273-5332
- Référence fabricant:
- FM25W256-GTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | FRAM | |
| Taille de la mémoire | 256kB | |
| Configuration | 32k x 8 bit | |
| Type d'interface | Série SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 20MHz | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Nombre de mots | 32k | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Standard automobile | Non | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit FRAM | ||
Taille de la mémoire 256kB | ||
Configuration 32k x 8 bit | ||
Type d'interface Série SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 20MHz | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Nombre de mots 32k | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Standard automobile Non | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
La mémoire FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 256 Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès aléatoire ferroélectrique ou FRAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.
Conforme à la directive RoHS
Faible consommation d'énergie
Prend en charge le mode SPI 0 et le mode 3
Interface périphérique série très rapide
Schéma de protection en écriture sophistiqué
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