F-RAM série (SPI) Non, SPI Infineon, 256 ko, 32K x 8 bits 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

La FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 256 Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire ferroélectrique à accès aléatoire (FRAM) est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une mémoire vive (RAM). Elle permet une conservation fiable des données pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les frais généraux et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les mémoires flash en série, EEPROM et autres mémoires non volatiles. Contrairement à la flash série et à l'EEPROM, il effectue des opérations d'écriture à la vitesse de bus. Aucun délai d'écriture n'est encouru. Les données sont écrites dans le tableau mémoire immédiatement après que chaque octet a été transféré avec succès sur le périphérique. Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'un sondage de données. En outre, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles.

Conformité RoHS