FRAM Non Infineon, 256 kB, 32k x 8 bit 70 ns 85 °C -40 °C, 28 broches, SOIC-28
- Code commande RS:
- 273-5303
- Référence fabricant:
- FM18W08-SGTR
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
10 731,00 €
HT
12 877,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 10,731 € | 10 731,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5303
- Référence fabricant:
- FM18W08-SGTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 256ko | |
| Type de produit | FRAM | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 70ns | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SOIC-28 | |
| Nombre de broches | 28 | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Standard automobile | Non | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Nombre de bits par mot | 8 | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.7V | |
| Nombre de mots | 32k | |
| Tension d'alimentation maximum | 5.5V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 256ko | ||
Type de produit FRAM | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 70ns | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SOIC-28 | ||
Nombre de broches 28 | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Standard automobile Non | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Nombre de bits par mot 8 | ||
Tension d'alimentation minimum 2.7V | ||
Nombre de mots 32k | ||
Tension d'alimentation maximum 5.5V | ||
La mémoire FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 32 K x 8 qui lit et écrit de manière similaire à une mémoire SRAM standard. Une mémoire à accès aléatoire ferroélectrique ou FRAM est non volatile, ce qui signifie que les détails sont conservés après la suppression de l'alimentation. Il fournit une rétention de données pendant plus de 151 ans tout en éliminant les problèmes de fiabilité, les inconvénients fonctionnels et les complexités de conception du système de la SRAM à batterie. La temporisation d'écriture rapide et l'endurance d'écriture élevée rendent la FRAM supérieure aux autres types de mémoire.
Conforme à la directive RoHS
Faible consommation d'énergie
Compatible avec SRAM et EEPROM
Supérieur aux modules SRAM avec support de batterie
Résistant aux sous-éclaboussures de tension négative
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