FRAM Non, QSPI Infineon, 4 Mo, 512K x 8 bits 85 °C -40 °C, 8 broches, SOIC

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Code commande RS:
273-5265
Référence fabricant:
CY15B104QSN-108SXI
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Taille de la mémoire

4Mo

Type de produit

FRAM

Configuration

512K x 8 bits

Type d'interface

QSPI

Largeur de bus de données

8bit

Fréquence d'horloge maximum

108MHz

Type de Boitier

SOIC

Nombre de broches

8

Normes/homologations

RoHS Compliant

Température d'utilisation maximum

85°C

Tension d'alimentation maximum

3.6V

Nombre de mots

512K

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension d'alimentation minimum

1.80V

Standard automobile

Non

Nombre de bits par mot

8

La mémoire FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile haute performance de 4 Mbits employant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire ferroélectrique à accès aléatoire (FRAM) est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une mémoire vive (RAM). Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série et d'autres mémoires non volatiles.

Conformité RoHS

Fonctionnement basse tension

Protection de bloc logiciel

Protocoles SPI d'interface de bus série

Faible consommation d'énergie à haute vitesse

Interface périphérique série E/S simple et multiple

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