FRAM Non, Série SPI Infineon, 1 Mo, 128K x 8 bits 85 °C -40 °C, 8 broches, DSO
- Code commande RS:
- 273-5330
- Référence fabricant:
- FM25V10-GTR
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
29 670,00 €
HT
35 605,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 11,868 € | 29 670,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5330
- Référence fabricant:
- FM25V10-GTR
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 1Mo | |
| Type de produit | FRAM | |
| Configuration | 128K x 8 bits | |
| Type d'interface | Série SPI | |
| Largeur de bus de données | 8bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 40MHz | |
| Type de Boitier | DSO | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Normes/homologations | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Standard automobile | Non | |
| Tension d'alimentation minimum | 2V | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 1Mo | ||
Type de produit FRAM | ||
Configuration 128K x 8 bits | ||
Type d'interface Série SPI | ||
Largeur de bus de données 8bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 40MHz | ||
Type de Boitier DSO | ||
Nombre de broches 8 | ||
Normes/homologations Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Standard automobile Non | ||
Tension d'alimentation minimum 2V | ||
La mémoire FRAM d'Infineon est une mémoire non volatile de 1 Mbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès aléatoire ferroélectrique ou FRAM est non volatile et effectue des lectures et des écritures similaires à celles d'une RAM. Il fournit une rétention de données fiable pendant 151 ans tout en éliminant les complexités, les surcharges et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par la mémoire Flash série, l'EEPROM et d'autres mémoires non volatiles.
Conforme à la directive RoHS
Fonctionnement basse tension
Faible consommation d'énergie
Interface périphérique série très rapide
Schéma de protection en écriture sophistiqué