SRAM Infineon 16 Mo TSOP 54 broches
- Code commande RS:
- 181-7451
- Référence fabricant:
- CY7C1061GE30-10ZSXI
- Marque:
- Infineon
Sous-total (108 unités, dans un plateau de 108)*
3 140,64 €
HT
3 769,20 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 108 + | 29,08 € | 3 140,64 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 181-7451
- Référence fabricant:
- CY7C1061GE30-10ZSXI
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Taille de la mémoire | 16Mo | |
| Type de produit | SRAM | |
| Configuration | 1 Mb x 16 bits | |
| Nombre de mots | 1M | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Temps d'accès aléatoire maximum | 10ns | |
| Largeur de bus d'adresse | 16bit | |
| Fréquence d'horloge maximum | 100MHz | |
| Type de timing | Asynchrone | |
| Tension d'alimentation minimum | 2.2V | |
| Tension d'alimentation maximum | 3.6V | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | TSOP | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 85°C | |
| Nombre de broches | 54 | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Série | CY7C1061GE | |
| Largeur | 10.26mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 22.51mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Courant d'alimentation | 110mA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Taille de la mémoire 16Mo | ||
Type de produit SRAM | ||
Configuration 1 Mb x 16 bits | ||
Nombre de mots 1M | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
Temps d'accès aléatoire maximum 10ns | ||
Largeur de bus d'adresse 16bit | ||
Fréquence d'horloge maximum 100MHz | ||
Type de timing Asynchrone | ||
Tension d'alimentation minimum 2.2V | ||
Tension d'alimentation maximum 3.6V | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier TSOP | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 85°C | ||
Nombre de broches 54 | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Série CY7C1061GE | ||
Largeur 10.26mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 22.51mm | ||
Standard automobile Non | ||
Courant d'alimentation 110mA | ||
CY7C1061G et CY7C1061GE sont des dispositifs CMOS haute performance à mémoire RAM statique rapide avec ECC intégré. Les deux dispositifs sont proposés avec options d’activation par puce simple et double et de multiples options de configuration des broches. Le dispositif CY7C1061GE inclut une broche ERR qui signale la détection et correction d’une erreur de bit unique-pendant un cycle de lecture.
Grande vitesse
tAA = 10 ns/15 ns
Code de correction d'erreur (ECC) intégré pour correction d’erreur de bit unique
[1, 2]
Faibles courants actifs et de veille
ICC = 90 mA typique à 100 MHz
ISB2 = 20 mA typique
Plage de tension d'utilisation : 1,65 à 2,2 V, 2,2 à 3,6 V, et
4,5 à 5,5 V
Conservation des données 1 V
Entrées et sorties compatibles logique transistor-transistor (TTL)
Broche d’indication d'erreur (ERR) pour indiquer la détection et la correction d'erreur de 1 bit.
Disponibles en boîtiers sans plomb TSOP I48 broches, TSOP II 54 broches, et VFBGA 48 billes