MOSFET N Infineon 88 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS AEC-Q101

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754-5434
Référence fabricant:
IPB107N20N3GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

88A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

OptiMOS

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

11mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

65nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.31mm

Largeur

9.45mm

Normes/homologations

No

Hauteur

4.57mm

Standard automobile

AEC-Q101

Transistors MOSFET d'alimentation Infineon OptiMOS™3, 100 V et au-delà


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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