MOSFET canal N Infineon 6 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
273-2999
Référence fabricant:
IPB65R660CFDAATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

6A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

OptiMOS

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.66Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20nC

Dissipation de puissance maximum Pd

62.5W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET à super jonction MOS CFDA à froid 650 V d'Infineon est la deuxième génération de MOSFET de puissance MOS à froid haute tension qualifié pour l'automobile, leader du marché, d'Infineon. En plus des attributs bien connus de haute qualité et de fiabilité requis par l'automobile

Réduction de l'apparence des IEM et conception facile

Meilleur rendement de charge légère

Pertes de commutation plus faibles

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