MOSFET canal N Infineon 6 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 OptiMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 273-2999
- Référence fabricant:
- IPB65R660CFDAATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
775,00 €
HT
930,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 24 novembre 2026
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,775 € | 775,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-2999
- Référence fabricant:
- IPB65R660CFDAATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.66Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 20nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 62.5W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.66Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 62.5W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
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