Références fabricant

MOSFET MOSFET Infineon 600 mA, 8 broches 600V, SOIC

Code commande RS:: 258-4013
Référence fabricant:: IRS2308STRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET MOSFET Infineon 600 mA, 8 broches 600V, SOIC

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

890,00 €

1 067,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,356 €	890,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 258-4013
Référence fabricant:: IRS2308STRPBF
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Courant de sortie	600mA
	Nombre de broches	8
	Temps de descente	35ns
	Type de Boitier	SOIC
	Type de driver	MOSFET
	Temps de montée	220ns
	Tension d'alimentation minimum	10V
	Tension d'alimentation maximum	600V
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	No
	Série	IRS
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Courant de sortie 600mA
	Nombre de broches 8
	Temps de descente 35ns
	Type de Boitier SOIC
	Type de driver MOSFET
	Temps de montée 220ns
	Tension d'alimentation minimum 10V
	Tension d'alimentation maximum 600V
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations No
	Série IRS
	Standard automobile Non

Datasheet - IRS2308STRPBF

Le driver de demi-pont d'Infineon est un MOSFET de puissance haute tension et haute vitesse et un driver IGBT avec des canaux de sortie à référence haut et bas latéral dépendant. Les technologies HVIC et CMOS protégées contre le verrouillage permettent une construction monolithique robuste. L'entrée logique est compatible avec la sortie CMOS ou LSTTL standard, jusqu'à la logique de 3,3 V. Les drivers de sortie sont dotés d'un niveau de tampon de courant d'impulsion élevé conçu pour une conduction croisée minimale du driver. Le canal flottant peut être utilisé pour piloter un transistor MOSFET de puissance à canal N ou un transistor IGBT dans la configuration High-Side qui fonctionne jusqu'à 600 V.

Canal flottant conçu pour le fonctionnement d'amorçage

Plage d'alimentation d'entraînement de grille de 10 à 20 V

Verrouillage de sous-tension pour les deux canaux

Logique de prévention de la conduction croisée

Temporisation de propagation correspondante pour les deux canaux

Sorties en phase avec les entrées

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