MOSFET MOSFET Infineon 600 mA, 8 broches 600V, SOIC
- Code commande RS:
- 258-4014
- Référence fabricant:
- IRS2308STRPBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,08 € | 2,16 € |
| 20 - 48 | 0,925 € | 1,85 € |
| 50 - 98 | 0,865 € | 1,73 € |
| 100 - 198 | 0,805 € | 1,61 € |
| 200 + | 0,745 € | 1,49 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-4014
- Référence fabricant:
- IRS2308STRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant de sortie | 600mA | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Type de Boitier | SOIC | |
| Temps de descente | 35ns | |
| Type de driver | MOSFET | |
| Temps de montée | 220ns | |
| Tension d'alimentation minimum | 10V | |
| Tension d'alimentation maximum | 600V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | IRS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant de sortie 600mA | ||
Nombre de broches 8 | ||
Type de Boitier SOIC | ||
Temps de descente 35ns | ||
Type de driver MOSFET | ||
Temps de montée 220ns | ||
Tension d'alimentation minimum 10V | ||
Tension d'alimentation maximum 600V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Série IRS | ||
Standard automobile Non | ||
Le driver de demi-pont d'Infineon est un MOSFET de puissance haute tension et haute vitesse et un driver IGBT avec des canaux de sortie à référence haut et bas latéral dépendant. Les technologies HVIC et CMOS protégées contre le verrouillage permettent une construction monolithique robuste. L'entrée logique est compatible avec la sortie CMOS ou LSTTL standard, jusqu'à la logique de 3,3 V. Les drivers de sortie sont dotés d'un niveau de tampon de courant d'impulsion élevé conçu pour une conduction croisée minimale du driver. Le canal flottant peut être utilisé pour piloter un transistor MOSFET de puissance à canal N ou un transistor IGBT dans la configuration High-Side qui fonctionne jusqu'à 600 V.
Canal flottant conçu pour le fonctionnement d'amorçage
Plage d'alimentation d'entraînement de grille de 10 à 20 V
Verrouillage de sous-tension pour les deux canaux
Logique de prévention de la conduction croisée
Temporisation de propagation correspondante pour les deux canaux
Sorties en phase avec les entrées