SDRAM Micron, 1 Go Montage en surface 16 bit 95 °C -40 °C 96 broches, TFBGA
- Code commande RS:
- 696-928
- Référence fabricant:
- MT41K64M16TW-107 IT:J
- Marque:
- Micron
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 696-928
- Référence fabricant:
- MT41K64M16TW-107 IT:J
- Marque:
- Micron
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Micron | |
| Taille de la mémoire | 1Go | |
| Type de produit | SDRAM | |
| Largeur de bus de données | 16bit | |
| Nombre de bits par mot | 16 | |
| Fréquence d'horloge maximum | 933MHz | |
| Type de montage | Montage en surface | |
| Type de Boitier | TFBGA | |
| Nombre de broches | 96 | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 95°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Largeur | 8mm | |
| Longueur | 14mm | |
| Série | MT41K | |
| Tension d'alimentation maximum | 1.45V | |
| Tension d'alimentation minimum | 1.283V | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Micron | ||
Taille de la mémoire 1Go | ||
Type de produit SDRAM | ||
Largeur de bus de données 16bit | ||
Nombre de bits par mot 16 | ||
Fréquence d'horloge maximum 933MHz | ||
Type de montage Montage en surface | ||
Type de Boitier TFBGA | ||
Nombre de broches 96 | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 95°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Largeur 8mm | ||
Longueur 14mm | ||
Série MT41K | ||
Tension d'alimentation maximum 1.45V | ||
Tension d'alimentation minimum 1.283V | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
La SDRAM DDR3 de Micron utilise une architecture à double débit de données pour obtenir un fonctionnement à haut débit. L'architecture à double débit de données est une architecture 8-n-prefetch avec une interface conçue pour transférer deux mots de données par cycle d'horloge aux broches d'E/S. Une seule opération de lecture ou d'écriture pour la SDRAM DDR3 consiste en un seul transfert de données à quatre cycles de quatre heures de largeur de 8 n bits sur le noyau DRAM interne et huit transferts de données correspondants à demi-cycle de demi-horloge de largeur de n bits sur les broches d'E/S.
Température de rafraîchissement automatique
Rafraîchissement automatique automatique
Registre polyvalent
Conformité RoHS