SDRAM AEC-Q100 Micron, 4 Go En surface 16 bit 95 °C -40 °C 96 broches, FBGA

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Code commande RS:
696-963
Référence fabricant:
MT41K256M16TW-107 AIT:P
Marque:
Micron
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Marque

Micron

Type de produit

SDRAM

Taille de la mémoire

4Go

Largeur de bus de données

16bit

Largeur de bus d'adresse

15bit

Nombre de bits par mot

16

Fréquence d'horloge maximum

933MHz

Temps d'accès aléatoire maximum

13.91ns

Nombre de mots

256 Meg

Type de montage

En surface

Type de Boitier

FBGA

Nombre de broches

96

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

95°C

Largeur

8mm

Longueur

14mm

Série

MT41K

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

1.2mm

Tension d'alimentation minimum

1.283V

Tension d'alimentation maximum

1.45V

Courant d'alimentation

46mA

Standard automobile

AEC-Q100

Le dispositif SDRAM DDR3 de Micron est conçu pour les applications industrielles. Il est doté d'une densité de mémoire de 4 Go, organisée en 256 M x 16 bits, et fonctionne à un débit de données maximal de 1 866 MT/s. Ce dispositif est conçu pour fournir des performances fiables dans des environnements exigeants et est fourni dans un boîtier TFBGA compact à 96 billes.

Température de rafraîchissement automatique

Rafraîchissement automatique automatique

Registre polyvalent

Conformité RoHS

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