MOSFET canal N STMicroelectronics 17 A 500 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-441
- Référence fabricant:
- STP20NK50Z
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 151-441
- Référence fabricant:
- STP20NK50Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 17A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.27Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 119nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 190W | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 17A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Série SuperMESH | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.27Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 119nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 190W | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie Super MESH, grâce à l'optimisation de la disposition Power MESH bien établie. En plus d'une réduction significative de la résistance à l'enclenchement, ce dispositif est conçu pour assurer un haut niveau de capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
testé à 100 % en avalanche
Charge de grille minimisée
Très faible capacité intrinsèque
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