MOSFET canal N STMicroelectronics 6 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 SuperMESH
- Code commande RS:
- 151-941
- Référence fabricant:
- STP6NK60Z
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,44 € | 72,00 € |
| 500 - 1200 | 1,295 € | 64,75 € |
| 1250 + | 1,061 € | 53,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-941
- Référence fabricant:
- STP6NK60Z
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | SuperMESH | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.2Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Hauteur | 28.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série SuperMESH | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.2Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 10.4mm | ||
Longueur 28.9mm | ||
Hauteur 28.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance de STMicroelectronics est obtenu grâce à une optimisation extrême de l'agencement du MESH de puissance basé sur une bande bien établie. En plus de réduire considérablement la résistance, une attention particulière est apportée pour garantir une très bonne capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes.
Capacité dv/dt extrêmement élevée
Testé à 100 % en avalanche
Charge de grille minimisée
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