MOSFET canal N STMicroelectronics 25 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET II
- Code commande RS:
- 151-916
- Référence fabricant:
- STD25NF10T4
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,36 € | 900,00 € |
| 5000 - 7500 | 0,322 € | 805,00 € |
| 10000 + | 0,315 € | 787,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-916
- Référence fabricant:
- STD25NF10T4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | STripFET II | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 38Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 55nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série STripFET II | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 38Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 55nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La série MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développée à l'aide du procédé STripFET, spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de grille. Cela rend le dispositif adapté à une utilisation comme commutateur primaire dans les convertisseurs c.c.-c.c. isolés à haut rendement avancés pour les applications de télécommunications et informatiques.
Capacité dv/dt exceptionnelle
100 % testé contre les avalanches
Faible charge de grille
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