MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 STripFET II
- Code commande RS:
- 151-936
- Référence fabricant:
- STD12NF06T4
- Marque:
- STMicroelectronics
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 5000 de plus pour économiser 40,00 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 2500 unités)*
930,00 €
HT
1 115,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* | Économie |
|---|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,372 € | 930,00 € | - |
| 5000 + | 0,364 € | 910,00 € | 40,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 151-936
- Référence fabricant:
- STD12NF06T4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | STripFET II | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.1Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 30W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série STripFET II | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.1Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 30W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
La série MOSFET de puissance de STMicroelectronics a été développée à l'aide du procédé STripFET, spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de grille. Cela rend le dispositif adapté à une utilisation comme commutateur primaire dans les convertisseurs c.c.-c.c. isolés à haut rendement avancés pour les applications de télécommunications et informatiques.
Capacité dv/dt exceptionnelle
100 % testé contre les avalanches
Faible charge de grille
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N STMicroelectronics 12 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET canal N STMicroelectronics 60 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET canal N STMicroelectronics 25 A 100 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET canal N STMicroelectronics 17 A 250 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET canal N STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET II
- MOSFET canal N STMicroelectronics 35 A 60 V Enrichissement TO-252 STripFET
- MOSFET canal N STMicroelectronics 17 A 30 V Enrichissement TO-252 STripFET
- MOSFET canal N STMicroelectronics 23 A 100 V Enrichissement TO-252 STripFET