MOSFET canal N STMicroelectronics 125 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL125N10F8AG AEC-Q101

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Code commande RS:
214-995
Référence fabricant:
STL125N10F8AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

125A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PowerFLAT

Série

STL125N10F8AG

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

4.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

56nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
Le MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N de 100 V de STMicroelectronics est conçu dans la technologie STripFET F8 avec une structure de grille de tranchée améliorée. Il garantit un chiffre de mérite de pointe pour une très faible résistance à l'état sous tension tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

Faible charge de grille Qg

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