MOSFET canal N STMicroelectronics 420 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL059N AEC-Q101
- Code commande RS:
- 820-272
- Référence fabricant:
- STL059N4S8AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 820-272
- Référence fabricant:
- STL059N4S8AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 420A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerFLAT | |
| Série | STL059N | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.85mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 187W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 275nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Hauteur | 1mm | |
| Largeur | 5.4mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 420A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerFLAT | ||
Série STL059N | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.85mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 187W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 275nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.1mm | ||
Hauteur 1mm | ||
Largeur 5.4mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET de puissance à canal N en mode d'amélioration de 40 V de STMicroelectronics est conçu dans Smart STripFET F8, la nouvelle technologie dédiée basée sur STripFET F8 destinée aux applications de distribution de puissance, dotée d'une structure de porte en tranchée améliorée.
Certifié AEC-Q101
Grade MSL1
Température d'utilisation : 175 °C
100 % testé contre les avalanches
Boîtier flanc humide
RDS(on) extrêmement faible
Niveau logique
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